安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台

安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高应用系统的整体效率，更能降低能源成本并延长系统的工作寿命。该平台广泛应用于通信和数据中心服务器电源、叉车和轻型电动车低压电机驱动器以及电池管理系统 (BMS)。作为这些应用系统中最关键的零部件之一，MOSFET的性能对系统的性能和效率具有决定性的影响。

1.  产品性能

1. 优化FOM (Figure of Merit)：极低导通及开关损耗，适用于高载频及高功率工况，提供高效的能量转换和节能效果。

2. 高可靠性：卓越的可靠性与耐用性，全面满足工业级标准。

3. 高抗冲击能力：低热阻，高雪崩能力，满足高电流及瞬间关断时的要求。

4. 良好一致性：支持多管并联应用。

2. 竞品对比

在选择MOSFET器件时，了解和比较其FOM值是非常重要。FOM (Figure of Merit) 是MOSFET的一个重要指标，用于评估其性能。

FOM包括了MOSFET最关键的性能指标 : 导通电阻 ( RDS(on) ) 及闸极电荷 ( Qg )。较低的导通电阻代表MOSFET在导通状态下具有更低的功耗和更高的效率。较低的闸极电荷代表MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换，从而减少功耗和提高性能。

JSAB 150V产品与国内外品牌规格对比，JSAB 150V SGT MOSFET FOM 可以达到约300 mΩ·nC，对比其他国内外品牌最新代产品低6 - 27%不等，这一结果清晰地展示了JSAB 150V SGT MOSFET作为出色替代方案或新开发方案的有力竞争者的能力。

3. 技术特点

JSAB 150V SGT MOSFET采用深沟槽技术，透过优化漂移区 (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，达到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低开关损耗及导通损耗，媲美国外一流顶尖品牌规格。此外JSAB 150V SGT MOSFET 除了使用传统直插式封装，如TO-220及TO-247，更推出了贴片式封装，如TO-LL及TO-263，大幅提高功率密度及PCB设计灵活度，使得JSAB 150V SGT MOSFET 非常适合用于电源系统，电池管理系统，及电机控制器等高功率工业应用。

综上所述，JSAB 150V SGT MOSFET产品能够完全媲美国外一流进口品牌的性能，非常适用于工业电机驱动或电池管理系统等应用领域。JSAB有能力也有信心接受客户严苛的测试和检验，如需样品，欢迎与我司联系。

　　审核编辑：汤梓红