原文来自原创书籍《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》:
本小节介绍下三极管的特性,清晰易懂,使用通俗的水流模型加强对三极管的原理记忆,一定比课堂上讲的要形象的多,各位同学要学会类比的方法来加深记忆(比如在介绍相对论中引力扭曲时空的概念时,国外科学家们就用生活中的漩涡,或者在弹性膜中间的重球,来类比星体引力对时空的影响,这样会大大简化我们学习、理解和记忆的过程,这种学习方法被称为类比学习法)。
我们平时所说的三极管全称是双极性晶体管(bipolarjunction transistor),具有两个PN结,NPN和PNP型三极管电路符号如图1-26 所示,有基极B:Base;集电极C:Collector;发射极E:Emitter三个引脚,怎么判断晶体管是NPN还是PNP呢?记住:符号中的箭头都是从P指向N的。左图中,箭头起点为P、终点为N,所以P在三极管中间,即为NPN;而右图中,箭头起点为P、终点为N,所以三极管中间为N,即为PNP。
图1-26 NPN与PNP型三极管符号
本节以NPN三极管为例,介绍下三极管的特性。图1-27 的曲线是NPN三极管的输出特性曲线,横坐标是CE之间的电压VCE,纵坐标是CE之间的电流IC,这些曲线主要就是描述基极电流IB、集电极电流ICE和VCE三者的关系。三极管有三个工作区,分别是饱和区、放大区和截至区。
图1-27 NPN三极管输出特性曲线
图1-29 三极管的水流控制等效模型
1. 饱和区的特点。三级管的电流IC与IB和VCE都有关,当VCE不变时,IB变化引起的IC变化不大;但是反过来,IB固定,VCE变化一点点就会引起IC剧烈变化,换句话说三极管已经饱和了,饱和的意思就是满了,我们可以用向水杯里倒水的模型来记忆这个过程,如图1-28 所示,IB就是水龙头注水的水流,IC就是水面的高度,VCE就是指水杯的高度。饱和就是指水满了,如图中饱和时状态所示,此时水面高度IC已经满了(已经饱和)不受控于IB了,而受控于水杯的高度VCE,如果想要进一步增加IC,就需要增加水杯高度VCE,这样理解并记忆饱和这个概念就更形象易懂了。
2. 放大区的特点。随着IB的增加,IC也增加,IC主要受控于IB,与VCE关系不大,图1-27 中可以看到,放大区内VCE增加时IC基本不变,而IB增加时IC就跟着增加。图1-28 清晰地类比了这个过程,通俗点说就是用IB来控制IC,这就是我们称三极管是电流控制型器件的原因。还是以水杯模型来加深记忆,图中放大状态的水杯中,不管水杯高度VCE是多高,IC的高度只受控于注水水流IB。
3. 截至区的特点。不管VCE怎么变化,只要IB等于0或接近于0,IC也就约等于0,我们还是以水杯为模型来加深理解,图1-28 中注入杯中的水龙头IB水流非常小,接近于0,所有不管水杯VCE多高,水杯中的水IC始终接近于0。
在电流IC不大时,三极管常用来做放大器或者是开关使用,当需要大电流时往往用MOS来做开关使用,以上就是三极管的相关特性介绍,结合三极管的水流控制等效模型来理解记忆就会容易的多。
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审核编辑 黄宇
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