天睿半导体项目将新建8英寸碳化硅SiC和氮化镓GaN晶圆厂

 

2月20日，福州市可持续发展暨企业家大会召开，大会进行了重大项目集中签约仪式，长乐区签约落地16个重大项目，其中之一为天睿半导体项目。

据悉，天睿半导体项目将新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。项目落地后将为福州带来先进的SiC、GaN等领域生产研发经验，打造千亿级第三代半导体产业集群。

福建天睿半导体有限公司成立于2023年2月14日，由福州新投天睿投资有限公司与福州昊盛天睿投资有限公司共同出资成立。

此外，今年1月，福州还引入2个GaN项目，投资总金额超10亿元。

·芯睿半导体GaN晶圆厂项目：由福建芯睿半导体有限公司建设，具体项目细节未公布。

·福州镓谷GaN外延片项目：由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，达产后年产能24万片。

近年来，以碳化硅和氮化镓为代表第三代半导体材料，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新能源汽车、光伏储能、高速轨交、智慧电网、新一代移动通信等产业持续发展的重点核心材料。

各地政府陆续出台政策支持第三代半导体发展，鼓励企业深入布局。在福州已签约的第三代半导体相关项目基础上，此次天睿半导体项目签约落地，有助于福州进一步完善第三代半导体产业链。

来源：福州新闻网、集邦化合物半导体

审核编辑：刘清