TSMC-SoIC，InFO，CoWoS之间的关系？

本文将简单介绍TSMC-SoIC，InFO，CoWoS三种2.5/3D IC封装技术。  

2.5/3D-IC封装是一种用于半导体封装的先进芯片堆叠技术，它能够把逻辑、存储、模拟、射频和微机电系统 (MEMS)集成到一起，是未来封装的发展方向。有哪些前沿的2.5/3D IC封装技术呢？  

 

  2.5/3D IC 封装主要有TSMC-SoIC，InFO，CoWoS三种类型。  

  TSMC-SoIC   TSMC-SoIC（System on Integrated Chips），能对10纳米以下的制程进行晶圆级的集成，最关键的创新是采用了无凸点（no-Bump）的键合结构。   传统的3D IC封装技术通常用微凸点（micro-bumps）作为芯片间的互连结构。然而，微凸点的间距限制了互连密度，因而限制了整体的集成密度和性能。相比之下，SoIC技术采用了无凸点的直接键合技术，这种技术能够减小芯片间距离，从而弥补了传统3D IC封装的短板。   TSMC的SoIC又包含了CoW（Chip-on-Wafer）和WoW（Wafer-on-Wafer）两种形式。CoW是将单独的芯片（Chip）直接键合到一个待加工的晶圆（Wafer）上，而WoW则是将整个晶圆与另一个晶圆直接堆叠并键合。  

  InFO   InFO（Integrated Fan-Out），是一种先进的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术。InFO技术通过在晶圆上实现裸晶的扇出式布线（Fan-Out），使得芯片不需要传统的基板，直接在芯片的外围形成更多的I/O连接点。随着技术的发展，TSMC推出了几种不同的InFO技术变体，以满足不同应用的需求，包括InFO-PoP、InFO-oS、InFO-LSI等。  

  CoWoS   CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是一种先进的2.5D封装技术，它是将多个不同功能的芯片首先封装到一个硅转接板上，利用这个硅转接板上的高密度布线实现芯片间的互连，然后整个结构再被安装到一个更大的封装基板上。CoWoS包括CoWoS-S，CoWoS-R，CoWoS-L.  
TSMC-SoIC，InFO，CoWoS之间的关系？

 

审核编辑：黄飞