英飞凌推出CoolSiC MOSFET G2技术，提升电力效率与可靠性

　　先进的英飞凌科技股份公司近期发布了CoolSiC MOSFET G2沟槽技术创新成果，在电力电子领域引发广泛关注。这款新品旨在高效、稳定地解决电力问题，解决电力行业对更优质解决方案的期待。

　　与之前的硅材料功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2无论是硬开关还是软开关操作均有出色表现。关键品质因数相较于上一代G1，大幅度提升20%以上，使其在同等条件下具备更高的电力转化效率。对于需要频繁切换状态的应用环境，例如光伏逆变器、储能设备、电动汽车充电及UPS等，该技术的快速开关能力提升超过30%，提升了多方面的性能表现，更有效地控制能耗并降低功耗损失。

　　另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。

　　针对长时间连续运行的需要，英飞凌科技的独家.XT互联技术起到了关键作用，它在保证良好热性能的前提下，提高了半导体芯片的性能，有益于克服行业难题。新产品的热性能优化提高了12%，使芯片质量指标达到了前所未有的碳化硅性能新水平。

　　总的来说，CoolSiC MOSFET G2的出现，无论在性能方面还是在可靠性上，都有很好的表现。尤其是在高温工况下，1200V系列产品可达150℃的稳定运行，并且具有高达200°C虚拟结温的超负荷运作潜力，让系统设计者面对电网波动等挑战时能更加机动灵活。

　　英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士对此表示：“如今，电力在我们的生活中占据核心地位，新的、高效的能源生产、传输和使用需求正在改变大环境。而CoolSiC MOSFET G2，则是英飞凌适应这个时代变化的一把钥匙，它将碳化硅性能推向了全新的高峰。这种新一代SiC技术能帮助研发设计更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，最大程度地节约能源，并削减每瓦CO2排放量。”

　　英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，进一步增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓（GaN）领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙（WBG）材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。