集邦咨询：明年HBM TSV产能预计250K/m，占DRAM总产能14%

　　集邦咨询最新研究报告显示，预计截止至2024年末，HBM TSV的产能将达到约25万片每平米的惊人数字，总DRAM全球产能预计约为18百万片每平米，因此两者相除可得HBM TSV产能占据约14%的比重，年增长率高达260%。

　　预测分析还指出，自2023年起至2024年末，HBM产业产出价值在整个DRAM行业中的比例将从8.4%逐步提升至20.1%。

　　集邦咨询的报告进一步强调，HBM和DDR5之间的区别主要在于Die Size上。在同等制程及容量（如24GB）下，HBM Die尺寸大于DDR5的基础版35%-45%。然而，尽管HBM制程难度相对较大，导致其生产周期延长，包括TSV的时间比DDR5多出约1.5-2个月，从而导致其良率降低至约20%-30%。

　　由于HBM生产周期较长，从投片至产出和封装完成需花费超过两个季度时间。因此，对于急需供货的客户来说，应尽早确定采购量并锁定订单。

　　根据TrendForce集邦咨询的数据，大部分针对2024年的订单已提供给供应商，其中大部分为不可撤销形式。唯一例外是那些无法通过验证的订单才能被取消。

　　集邦咨询观察到，未来两年内可能成为主流产品的HBM3市场份额中，SK海力士凭借现有占比超九成的优势，保持领先地位。而AMD的Mi300由于其逐季放量，已引起了三星的重视和追赶。