三星电子HBM存储技术进展：12层HBM3E芯片，2TB/s带宽HBM4即将上市

　　韩国科技巨头三星电子在高带宽存储技术（HBM）领域快速崛起，成功研发12层DRAm的HBM3E芯片后，有望取代现有领导者英伟达，成为该市场的唯一供应商。

　　据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。

　　2024年2月份，美光率先宣布8层HBM3E投入大规模生产。紧接着，三星也公开宣传已经成功研发出36GB容量的12层HBM3E产品。值得注意的是，尽管体量更大，但是12层HBM3E仍旧保持着与8层HBM3E同等的厚度。

　　相较之下，12层版的HBM3E能够提供高达1280GB/s的巨大带宽。性能与容量比8层版本提升50%以上，有望在2024年末开始规模化量产。

　　尽管三星官方目前仍未公布HBM3E的量产计划，但英伟达首席执行官黄仁勋早前出席GTC 2024时确认，三星的HBM产品处于验证阶段。许多人都在猜想，三星HBM3E很可能顺利通过验证期。

　　国际固态电路会议（ISSCC 2024）期间，三星宣布即将推出的HBM4具备2TB/s的超高带宽，相较之前的第五代HBM（HBM3E）提升幅度达到了惊人的66%，且输入输出（I/O）数量翻番。三星计划在2026年大规模投产HBM4，这意味着更激烈的行业竞争与持续关注。