存储技术
DRAM(动态随机存取存储器)的工艺流程包括多个关键步骤,具体如下:
硅片生长:在高温条件下生长硅片,这是DRAM芯片的基础,提供了存储单元,并且必须具有高度纯净的结构。
晶圆制备:硅片经过多个化学和机械处理步骤,以达到工艺所需的尺寸和表面光洁度。这些步骤包括去除表面杂质、平坦化和清洗。
沟槽和井形成:为了形成电流和电气连接,在晶圆上创造物理结构,如带形、凹槽和孔,这通常通过使用化学气相沉积和光刻技术实现。
氧化硅封装:将氧化硅层沉积到整个硅片表面上,对芯片上的线路进行隔离和保护。
铝线制作:使用物理蒸镀和光刻技术,在氧化硅上创造出复杂的连线图案,以将信号传输到不同的存储单元。
填充和平坦化:为了增加芯片密度和保持表面平整度,进行填充和平坦化步骤。
封装和测试:芯片被封装到外壳中,并通过测试和筛选来确保质量和工作正常。
审核编辑:黄飞
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