编辑视点：日本TSV技术能否再现辉煌？

　　在日本，硅通孔（TSV：Through Silicon Via）技术从10多年前开始就备受业界关注。比如，日本超尖端电子技术开发机构（ASET）从1999年度起就在通过名为“超高密度电子SI”的研究项目推进TSV相关开发。2008年东芝在全球率先开始量产凭借TSV实现小型化的CMOS图像传感器。

　　如上所述，在TSV技术研发方面，最初是日本走在了前面，但之后，TSV的用途并没有多大的扩展，在演讲会及研讨会上，也传出了“纸上谈兵”这种讽刺之声。现在，TSV技术终于迎来了全面实用期。使用基于TSV的硅转接板的FPGA已开始量产，支持高速且低耗电化Wide I/O DRAM的基于TSV的应用处理器也将于2013～2014年开始量产。

　　但是，推动这些基于TSV的LSI产品的，主要是海外厂商。这些海外厂商包括：从事手机SoC业务的美国高通（Qualcomm）、从事FPGA生产的美国赛灵思（Xilinx）和美国阿尔特拉（Altera）、从事微处理器业务的美国IBM、从事硅代工业务的台积电（TSMC）、从事后工序代工业务（OSAT）的美国安可科技（Amkor Technology）和新加坡STATS ChipPAC等。而在日本国内，虽然曾有尔必达存储器坚持不懈地开发使用TSV的Wide I/O DRAM，但该公司却于2012年2月宣布破产。甚至有某设备厂商指出，“日本的TSV要落后世界潮流1～2周”。

　　虽说如此，TSV技术也不会从日本消失。比如，东芝就打算在NAND闪存中应用在CMOS图像传感器的量产中培育起来的，名为“背面通孔（Backside Via）”的低成本TSV技术。而且，旭硝子也开发出了成本有望比硅转接板降低一位数的玻璃转接板微细加工技术。此外，以长年从事三维LSI研究的日本东北大学教授，日本未来科学技术共同研究小心的小柳光正为中心的研究小组，目前正在日本宫城县多贺城市的“宫城复兴工业园”内建设可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线，预定2013年3月完工。因此，日本厂商今后有望在TSV技术的研发方面再现辉煌。