Diodes新型MOSFET芯片高度減少50%

　　Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P通道元件，较同类型元件薄50%。同系列的另一款採用DFN2020E封装的MOSFET具有0.5mm离板高度，较其他一般离板高度为0.6mm的MOSFET薄20%。

　　DMP2039UFDE4针对负载开关应用，为电路设计人员提供3kV的电路保护，以免被人体所发出的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有低典型RDS（on） 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，把电池充电应用的损耗减至最少。

　　20V N通道的DMN2013UFDE在DC/DC降压和升压转换器内，达到理想的负载开关或者高速开关，并且提供一个2kV高静电放电保护额定。DMN6040UFDE将会是首批採用DFN2020封装的高电压MOSFET之一，可在60V的VDS 下运作，并适合小型化（Small form-factor）工业及热通风与空气调节系统 （HVAC） 控制使用。

　　新产品特别适合薄型可携式产品设计，例如智慧型手机、平板电脑和数位照相机。九款MOSFET的首批系列包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET和12V、20V及60V的 N通道MOSFET。