SK海力士与台积电共同研发HBM4，预计2026年投产

　　4 月 19 日，SK 海力士发布公告称与台积电达成协议，共同开发下一代 HBM4 及先进封装技术，预计于 2026 年实现量产。

　　此次协议旨在提升 HBM 封装中的底层 Base Die 的性能。值得注意的是，HBM 由多个 Core Die 层叠在基板上，再经 TSV 技术垂直互连，基板同时连接到 GPU，其重要性不言而喻。

　　自 HBM3E（第五代 HBM 产品）起，SK 海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产；然而，从 HMB4（第六代 HBM 产品）开始，该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。

　　据悉，双方将密切合作，探索利用台积电的 CoWoS 技术封装 SK 海力士的 HBM 产品，以期在性能和效率等方面更好地满足客户对定制化 HBM 产品的需求。

　　今年 2 月，SK 海力士提出“One Team”战略，借助台积电构建 AI 半导体联盟，进一步强化其在 HBM 领域的领先地位。

　　展望未来，AI 半导体将从 HBM 时代的 2.5D 封装迈向 3D 堆叠逻辑芯片和存储芯片的新型高级封装。存储厂商与芯片代工厂+高级封装厂商的合作有助于推动相关研发进程。