东芝半导体扩展80V／100V车载N沟道功率MOSFET的产品线

 

用于轻型电动汽车和ISG的逆变器、电池管理系统和接线盒的负载开关以及半导体继电器，要求产品具有高可靠性、高漏极电流额定值和高散热设计。面对这样的需求，东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品—80V“XPQR8308QB”和100V“XPQ1R00AQB”。

这两款产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺，导通电阻极低。此外，L-TOGL封装采用铜夹片结构，通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约70%，结壳热阻降低50%。同时，该封装采用鸥翼式引线，可降低安装应力，提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可在大电流时实现设备的低功耗和高散热，满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。

当应用需要更大工作电流时，可以并联MOSFET。在这种并联连接中，并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差，我们支持根据栅极阈值电压分组发货。

本系列目前有四种L-TOGL封装产品，包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。

该两款产品可应用于汽车设备当中，包括逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动电路等。产品特性如下：

 

• 低导通电阻：

XPQR8308QB RDS(ON)＝0.83mΩ（最大值）（VGS＝10V）

XPQ1R00AQB RDS(ON)＝1.03mΩ（最大值)（VGS＝10V）

• L-TOGL高散热封装

• AEC-Q101认证

主要规格

内部电路

应用电路示例

 

东芝将提供更多合适的产品，以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。

 

审核编辑：刘清