纳维科技邀您参加“2024功率半导体器件与集成电路会议”

 

4月26-28日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”将于成都召开。

会议是在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，极智半导体产业网联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室、成都信息工程大学、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业共同主办”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

期间，苏州纳维科技有限公司将出席会议并期待与业界同仁，共同交流，洽谈合作。

苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量，大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。

目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品:

1.2 英寸自支撑氮化镓衬底(Free-standing GaN Substrate)，厚度0.35 ~ 0.4mm，位错密度为105/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；

2.小尺寸方形(边长5mm ~20mm)自支撑氮化镓衬底，位错密度为 105/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；

3.小尺寸非极性面和半极性面自支撑氮化镓衬底，a面或者m面；

4.15 ~40 微米厚度的 2英寸厚膜氮化镓衬底(GaN/sapphire)，位错密度为 107/cm2量级，分为 n 型掺杂、非掺和半绝缘三种类型；

5.高结晶度氮化镓粉体材料；

6.氮化铝衬底

 

 

 

苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，努力在新一代显示、节能照明、微波通讯、电力电子、医学成像等产业领域为下游客户带来核心价值。

 

 

审核编辑：刘清