三星电子组建HBM4独立团队，力争夺回HBM市场领导地位

　　韩国媒体The Elec于5月10日透露，三星电子已经对其HBM内存开发部门实行了“双轨制”改革，旨在提升HBM业务的竞争力。

　　具体而言，现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发，而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。

　　新成立的HBM开发团队由DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon领导，直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作，并已吸引了部分人才加入。

　　作为AI算力芯片的重要支持，HBM内存已成为行业焦点。下一代HBM4内存将在多个方面做出重大改变，包括堆叠层数增加到12层甚至16层，以及Base Die走向定制化，以满足用户需求。

　　值得注意的是，IT之家最近报道称，SK海力士已将其HBM4内存的12层堆叠版本的量产时间提前至2025年下半年，而三星电子目前仍预计在2026年实现这一目标。

　　此次三星组建HBM4独立团队，旨在解决内存开发难题，缩短开发周期，从而在HBM4节点重新确立HBM内存的竞争地位，争夺市场份额。