SemiQ 推出高频、高功率 SiC MOSFET 模块

　　SemiQ 在其碳化硅 (SiC) N 沟道 MOSFET 产品组合中添加了一组全波 H 桥模块。这些部件专为需要高电压、高速和高功率部件的三重威胁应用而设计。它们针对超低开关损耗进行了优化，从而提高了效率并降低了功耗。高效率、高结温耐受性和陶瓷封装可减少散热并提高机械布局灵活性。
 

　　陶瓷封装可将散热器直接安装在隔离导热垫上。电气引脚触点为通孔压接连接，零件总占地面积为 62.8 mm x 33.8 mm x 12 mm。在完整的 H 桥模块中提供组件可降低装配成本并减少开关损耗。

 

　　专业产品线的重要补充

 

　　这五个器件 — GCMX020A120B2H1P、GCMX040A120B2H1P、GCMX080A120B2H1P、GCMX020A120B3H1P 和 GCMX040A120B3H1P — 额定电压均为 1,200 V，击穿电压超过 1,400 V，最大结温为175°C。

 

　　它们都采用相同的陶瓷压接通孔封装。GCMX080A120B2H1P 的最大电流容量范围为 27 A，GCMX020A120B2H1P 的最大电流容量为 102 A。SemiQ 拥有广泛的高功率 SiC 器件系列，包括分立 MOSFET、肖特基二极管和半桥模块。添加完整的 H 桥 SiC 模块使高功率电子产品的设计人员能够减少零件数量、缩小产品尺寸并获得更高效的冷却。

 

　　当分立 H 桥中的一个 MOSFET 测试不佳时，只需剔除出现故障的部分。在一个模块中，一个坏部件就需要丢弃整个桥。SemiQ 认识到这一风险，并通过晶圆级测试和老化来降低风险。SemiQ 使用这些晶圆级测试来确保整个模块的栅极氧化物质量和稳定的栅极阈值电压。

 

　　老化和测试还评估栅极应力、高温反向偏压漏极应力、高湿度、高电压和高温可靠性。其结果是汽车级和工业级产品具有慷慨的环境空间和早期故障的可能性较低。

 

　　SiC MOSFET 在直流应用中展现出主要优势

 

　　新型 SiC MOSFET 适用于功率密集型直流应用，例如太阳能逆变器、电动汽车充电器、储能系统和 DC-DC 转换器。所有这些应用都需要高电压、高开关频率和高功率容量。SemiQ 专为需要高开关频率和高工作电压带来的效率的高功率应用设计了新产品线。

 

　　可再生能源和大量服务器电源需求属于直流领域。不幸的是，直流电压转换比用于交流电的简单耦合电感变压器复杂得多。直流电压转换需要开关模式电源 (SMPS)。如果半导体材料能够跟上，更高的开关频率可以提供更好的效率。SiC 是比硅更耐用的材料之一。这些部件使 SMPS 效率从 90% 范围提高到 98% 范围。

 

　　这不仅仅是 8% 的改进。开关损耗是造成电力浪费和热量的原因。在传统半导体中，损耗约为电流的 10%。其余 90% 正在办理申请。SiC 传递了 90% 的损失以及 80% 的损失。这意味着电流增加 8%，但浪费和热量减少 80%。

 

　　虽然直流电被用作电子设备的终端电源，但大多数电动汽车仍然使用交流电机，因为它们具有卓越的效率。这些电动机的运行电压范围为 300–600 V。如果没有如此高的电压，50+ kW 电动机的电流消耗将使接线、散热器和电动机变得太重而无法实用。SiC 器件(例如 SemiQ 的五个新型 1,200V 全桥四路 MOSFET)可以比标准硅更有效地处理负载。