SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

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  HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK 海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。

  IT之家早先发布消息称,SK 海力士计划在 2025 年下半年推出首款采用 12 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品,而 16 层堆叠 HBM 则会在 2026 年稍后推出。

  这一“加速”的 HBM4/HBM4E 研发过程反映出 AI 巨头对高性能内存的强烈需求,因为日益强大的 AI 处理器需要更大的内存带宽支持。

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