SK海力士加速HBM4E内存研发，预计2026年面市

　　HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市场需求，SK 海力士将提速研发进程，预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。

　　IT之家早先发布消息称，SK 海力士计划在 2025 年下半年推出首款采用 12 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 则会在 2026 年稍后推出。

　　这一“加速”的 HBM4/HBM4E 研发过程反映出 AI 巨头对高性能内存的强烈需求，因为日益强大的 AI 处理器需要更大的内存带宽支持。