SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

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  据5月14日消息,韩国SK海力士在IEEE IMW国际存储研讨会上宣布HBM4E内存的开发周期有望缩短至一年,并进一步透露相关细节。公司技术专家Kim Kwi Wook表示,计划采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片来制造HBM4E内存。

  值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c nm DRAM的量产,而美光则需等到明年。新一代颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。

  关于SK海力士是否会在HBM4上更新DRAM裸片制程,目前尚无确切消息。韩媒The Elec近期报道指出,鉴于SK海力士已将HBM4量产时间提前至2025年下半年,继续沿用1b nm颗粒更为合理。

  当前市场主流的HBM3E产品均采用24Gb DRAM颗粒,使其在8层堆叠下可达24GB单堆栈容量;若采用12层堆叠,HBM3E堆栈容量可增至36GB。

  而未来的HBM4E内存升级至32Gb DRAM裸片后,12层堆叠版将实现48GB单颗容量,16层版甚至可达到64GB的惊人规模,为AI应用提供更大空间。

  Kim Kwi Wook预测,HBM4E内存相较于HBM4,带宽将提升40%,密度增加30%,能效亦提高30%。对于键合技术路线,他表示混合键合存在良率问题,SK海力士在下一代HBM4产品中采用此技术的可能性较小。

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