SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

　　据韩国媒体报道，SK海力士计划于2026年起量产第七代高带宽存储器HBM4E，这比原定计划提早了一年时间。高级HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook日前在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上透露了此信息。

　　他进一步指出，尽管HBM家族产品通常以每两年一次的速度更新换代，但自第五代产品HBM3E以来，其产品周期已经缩短为一年。

　　据业内人士预计，HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层，而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外，该公司还暗示，有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。

　　值得注意的是，混合键合技术旨在通过消除芯片间的凸块来增加DRAM的堆叠数量。SK海力士曾表示，将使用Advanced MR-MUF（先进大规模回流模制底部填充）技术直至HBM4。

　　Kim Kwi-wook表示，他们正在研究如何将混合键合技术与主流工艺相结合，但目前的良率并不理想。若客户需求超过20层的产品，由于厚度限制，他们或需探索新的工艺路径。

　　业界观察家预测，SK海力士有望首次将10纳米制程的第六代（1c）DRAM应用于HBM4E，从而大幅提升存储容量。