介绍一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关

UN 电源设计 不如考虑下正负端同步整流芯片U7712      

肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。既如此，还不快点来深圳银联宝科技挑选一颗合适您的同步整流芯片？！

正负端同步整流芯片U7712是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7712支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。U7712集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。U7712内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。

在原边MOSFET导通期间，同步整流芯片U7712内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。

系统开机以后，同步整流芯片U7712内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。       

初始阶段同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds 电压远小于同步整流芯片U7712内部MOSFET开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约 200ns）后内部MOSFET开通。在同步整流 MOSFET 导通期间， U7712采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约60ns）后被关断。

 

审核编辑：刘清