三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

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  据韩媒 ZDNet Korea 于今日的报导,三星电子正酝酿在HBM4内存上采用1c纳米制程(即第六代10+nm级)的DRAM裸片,以此增强其产品在能效竞争力方面的优势。

  早前在Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底前实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见在明年会完成研发,并在2026年开始量产。

  尽管作为已有HBM3E量产经验的三星电子,却未能如其主要竞争者SK海力士及美光那样,采用1b纳米制程的DRAM裸片,反而选择了1a纳米颗粒,从而在能耗方面略显不足。

  有消息人士指出,这可能是促使三星决定在HBM4上引入1c纳米DRAM颗粒的关键因素之一。

  据悉,同一制程节点的首批DRAM产品通常面向桌面与移动设备市场的标准DDR/LPDDR产品,待技术成熟后再应用于高价值且良率较低的HBM领域。

  此外,消息人士还透露,三星电子HBM业务的高层及团队也有意将HBM4的开发周期缩短,以满足AI处理器制造商的需求。然而,这无疑将增加良率风险。

  目前,在HBM内存领域占据领先地位的SK海力士已经表明计划在HBM4E上引入1c纳米制程颗粒,但尚未明确HBM4内存将采用何种制程的DRAM。

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