ST发布业界先进功率MOSFET系列产品

　　意法半导体（ST）推出拥有高可靠性、高能效的新系列功率产品电晶体，可支援科技企业满足日益严格的生态设计标準的要求，锁定太阳能微逆变器、太阳能串列式逆变器（photovoltaic string inverter）以及电动车等绿色能源应用。

　　新元件包括业界首个可承受950V峰值电压的超接面（super-junction）电晶体（MOSFET）、同类产品中能效最高的900V电晶体以及市场上唯一採用省空间PowerFLAT 8×8 HV超薄封装的850V元件。超接面技术可提高MOSFET的工作电压，降低导通电阻-晶片尺寸比，使电源产品在缩减总体封装尺寸的同时提高系统可靠性和能效。

　　

　　意法半导体是超接面MOSFET的主要供应商，提供市场上额定电压最高的解决方案，同时还是市场上仅有的两家900V超接面电晶体供应商之一。此外，该系列产品不久后将增加新款800V元件。

　　在展示SuperMESH 5元件的高能效的同时，意法半导体还公佈了首个成功应用超高压MOSFET的客户设计。意大利固态??照明创新企业TCI在其最新的LED驱动器设计中採用LEDIPAK封装的950V STU6N95K5做主电源开关，为设计先进且功能丰富的LED照明灯提供电源，使其成为高成本效益的小型LED照明市场的能效标竿。意法半导体功率电晶体产品部行销总监Maurizio Giudice表示：「意法半导体最新的SuperMESH 5技术让TCI在市场建立最高的能效和安全係数，为客户提供极具吸引力的价值主张。」

　　意法半导体新的超接面MOSFET的其它主要应用包括平面电视、PC电源、LED照明驱动器及气体放电式灯（High Intensity Discharge Lamp，HID）的电子安定器（electronic ballast）。MOSFET将让设计人员能够达到能源之星和欧洲的能源相关产品法规（ErP） 等生态设计标準中日益严格的能效上限和下限要求。

　　例如，最新能源之星电视产品技术要求（5.3版）提出了更严格的生态设计规定，50吋以上的平面电视的最大绝对功率为108.0瓦。同时ErP的照明法规提高了2012-2017年间製造的各类HID灯的能效下限标準。

　　意法半导体新的超接面MOSFET耐高压特性可提高系统安全性和可靠性。对于HID灯安定器和其它以电源线或更高电压为电源的系统，例如太阳能微逆变器和电动汽车充电站，耐高压是一个重要优势。为最大幅度减少电动汽车的充电时间和工作成本，充电站需要极高的功率转换效率。在微型发电机逆变器内，高能效的 MOSFET让设计人员能够使用更高的开关频率，输出高品质的AC电能，同时降低能耗和解决方案尺寸。

　　SuperMESH 5 MOSFET的主要特性：

　　新的MOSFET电晶体是首批採用意法半导体的SuperMESH 5第五代超接面技术的产品。新产品包括採用不同封装的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5以及950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V採用PowerFLAT 8×8 HV高压表面贴装封装，占板面积为64mm2，较工业标準的D2PAK封装小56%。此外，这款产品的高度为1mm，较工业标準的D2PAK封装低77%，适用于超薄型应用设计。

　　900V STP21N90K5的灵敏值（Figure of Merit，FOM）反映了该产品开启电源以及开启和关闭时的总体能效，较市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用STP21N90K5，设计人员即可大幅提高能效。

　　新SuperMESH 5产品已开始提供样品或接受订单。