恩智浦半导体发布双通道Power-SO8 MOSFET LFPAK56D产品

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有一流的性能和可靠性；同时，与通常需要使用两个器件的DPAK解决方案相比，节省了77%的占位面积。LFPAK56D系列产品现已量产，即将上市。

LFPAK56D在单一封装内集成了两个完全独立的MOSFET，旨在满足苛刻的汽车工业要求。该产品具有业界最宽的RDSon数值，横跨5个电压等级，具有市面上最佳的性能、电流处理能力和可靠性。该全新的双通道Power-SO8 MOSFET系列产品为客户挑选最契合应用和模块需求的器件提供了完全的灵活性与最大限度的自由，同时还实现了更高的功率密度。

在设计中采用LFPAK56D可简化PCB的装配和检测并缩小模块尺寸，以达到降低成本的目的。较小的模块尺寸还意味着可以大幅减轻重量，这对致力于减少二氧化碳排放的制造商来说非常有吸引力。

LFPAK56基于恩智浦的专业技术而设计，是市场上完全符合AEC-Q101标准的第一款Power-SO8封装产品；现在，恩智浦推出LFPAK56D，它同样是一款双通道Power-SO8 MOSFET产品，采用可靠的“铜夹片”粘合技术。这种铜夹片技术让封装具有低封装电阻、电感以及最大额定ID值高的优势。

恩智浦汽车MOSFET业务开发部经理Steve Sellick表示：“我们相信LFPAK56D将为汽车MOSFET树立全新的行业标杆；通过开发体积更小、更紧凑的产品，OEM可大幅提升效率，并节省大量成本。我们符合汽车行业标准的Power-SO8 MOSFET系列拥有业界最齐全的产品组合，在设计安全关键的汽车应用时可为我们的客户提供最大的选择范围。”

主要特性：

·双通道Power-SO8 MOSFET

·与对应的DPAK解决方案相比节省了77%的占位面积

·铜夹片技术——无焊线

·最大额定ID值高

·低封装电阻和电感

·低热阻

·耐受瞬时强电流

·符合汽车AEC-Q101标准，最高温度175℃