在开关应用中表现出色的NextPower 100V MOSFET
描述
在许多开关应用中，设计人员面临着平衡高效率和低尖峰电压的挑战，要达到该平衡，最显而易见的方法是在电路板上使用额外的元器件，但这会增加成本和复杂性。在本演示中，我们将展示典型的40V DC/DC转换器从而介绍NextPower 80和100V MOSFET的开关和效率性能。 
本演示使用NextPower 80V和100V 功率MOSFET产品组合中的100V 4.3mohm器件，采用增强的LFPAK56E封装。我们广泛的产品组合采用坚固且具备高电气性能的LFPAK56封装。80和100V MOSFET，是我们的最新硅晶圆技术，非常适合高频开关应用，包括ACDC、DCDC和电机控制。
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
09年半导体市场下滑幅度小于预期，三星表现出色2009-11-24 438
-
OPPO和小米在海外市场表现出色，出货量取得较快增长2019-11-17 963
-
Kuka新推出SCARA机器人：在小零件装配，材料处理等应用中表现出色2020-10-15 2638
-
华为Mate X2的相机表现出色2021-01-29 4375
-
功率 MOSFET 在同步整流器应用中表现出色2022-11-15 260
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,5.6mOhmN沟道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF2023-02-08 258
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,15.3mOhmN沟道 MOSFET-PSMN015-100YSF2023-02-09 221
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,11.7mOhmN沟道 MOSFET-PSMN012-100YSF2023-02-09 218
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,6.9mOhmN沟道 MOSFET-PSMN7R2-100YSF2023-02-09 217
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩN沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF2023-02-20 261
-
采用 TO220 封装的 NextPower 100V,8.7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF2023-02-23 202
-
采用 I2PAK 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF2023-02-23 227
-
采用 TO220 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF2023-02-23 197
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,9 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF2023-02-23 240
-
采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V,7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF2023-02-23 248
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
