Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

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Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。

这款新型MOSFET采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客户选择。这一灵活的封装和多样化规格满足了不同应用场景的需求。

Nexperia在2023年底发布的两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件基础上,进一步丰富了其SiC MOSFET产品组合。此次推出的新品不仅扩展了RDson值的范围(包括17、30、40、60和80 mΩ),还提供了更加灵活的封装选择。

Nexperia的持续创新和技术进步,将进一步推动碳化硅MOSFET在电力电子、新能源汽车等领域的应用和发展。

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