Nexperia(安世)发布高性能碳化硅MOSFET，满足工业应用增长需求

　　近日，全球知名的半导体制造商Nexperia(安世)半导体推出采用D2PAK-7 SMD封装的高度先进的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次发布的MOSFET共包含四种不同选项，RDSon值分别为30、40、60和80 mΩ，进一步丰富了公司的SiC MOSFET产品线。

 

　　Nexperia的这一最新发布是对其SiC MOSFET产品组合的快速扩展。此前，该公司已于2023年末发布了两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的独立SiC MOSFET。新产品系列将覆盖RDSon值为17至80 mΩ的广泛范围，并提供多种封装选项，以满足不同应用场景的需求。

 

 

　　RDSon作为SiC MOSFET的关键性能特征，直接决定了传导期间的功率损耗。Nexperia注意到，尽管市场上许多SiC器件在标称值上表现出色，但当器件工作温度升高时，RDSon可能增加100%以上，导致显著的传导损耗。

 

　　为了解决这一问题，Nexperia凭借其先进的工艺技术，确保新型SiC MOSFET具有出色的温度稳定性。测试显示，在25°C至175°C的温度范围内，这些MOSFET的RDSon标称值仅增加38%，这一性能在行业中处于领先地位。

 

　　新发布的SiC MOSFET——NSF0xx120D7A0，满足了市场对D2PAK-7等SMD封装高性能SiC开关日益增长的需求。这些开关因其卓越的性能和可靠性，在电动汽车充电、不间断电源、太阳能及储能系统逆变器等工业应用中得到了广泛应用。

 

　　随着新能源和清洁能源技术的不断发展，SiC MOSFET作为高性能电力电子器件，在电力转换和能量管理领域发挥着越来越重要的作用。