英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V

描述

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。

直流母线电压

CoolSiC MOSFET 2000V产品系列适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。与1700V SiC MOSFET相比,这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V,并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术,这些器件可提供一流的散热性能,以及高防潮性。

除了2000V CoolSiC MOSFET之外,英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC二极管:首先将于2024年第三季度推出采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000V二极管产品组合,随后将于2024年第四季度推出采用TO-247-2封装的2000V CoolSiC二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外,英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。

供货情况

CoolSiC MOSFET 2000V产品系列现已上市。另外,英飞凌还提供相应的评估板EVAL-COOLSIC-2KVHCC。开发者可以将该评估板作为一个精确的通用测试平台,通过双脉冲或连续PWM操作来评估所有CoolSiC MOSFET和2000V二极管以及EiceDRIVER紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx产品系列。



审核编辑:刘清

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分