英飞凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，满足AI服务器需求

　　随着人工智能(AI)技术的快速发展，AI处理器对功率的需求呈现出显著增长态势。为了应对这一挑战，英飞凌科技股份有限公司近日宣布，将SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)的开发范围扩展至400V领域，并推出了全新的CoolSiC™ 400V MOSFET系列。这一创新产品不仅满足了AI服务器电源(PSU)日益增长的功率需求，同时保持了服务器机架规定的紧凑尺寸。

　　英飞凌此次推出的CoolSiC™ 400V MOSFET系列，是基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiC技术的进一步演进。这一产品组合专门针对AI服务器的AC/DC(交流/直流)阶段设计，与该公司近期公布的PSU路线图相辅相成。除了AI服务器外，这些器件还广泛应用于太阳能和储能系统(ESS)、逆变器电机控制、工业和辅助电源(SMPS)以及住宅结构的固态断路器等多个领域。

 

　　与现有市场上的650V SiC和Si MOSFET相比，英飞凌的CoolSiC™ 400V MOSFET系列在传导和开关损耗方面实现了显著降低。在AI服务器PSU的AC/DC级中，通过采用多级PFC(功率因数校正)技术，该系列MOSFET实现了高达100W/in³的功率密度，并达到了99.5%的卓越效率，相较于使用650V SiC MOSFET的解决方案，效率提升了0.3个百分点。

 

　　值得一提的是，CoolGaN™晶体管在DC/DC(直流/直流)级的集成应用，为AI服务器PSU提供了完整的系统解决方案。通过高性能MOSFET和晶体管的混合使用，电源系统能够提供超过8kW的功率，相较于现有系统，功率密度提升了3倍以上。

 

　　全新的CoolSiC™ 400V MOSFET系列共包含10个项目，涵盖了五种不同的RDS(on)(导通电阻)等级，范围从11到45 mΩ。这些MOSFET采用先进的开尔文源TOLL和D²PAK-7封装，以及创新的.XT封装连接技术。在T vj = 25°C(结温)时，漏源击穿电压达到400V，使其非常适合应用于2级和3级转换器以及同步整流等场景。

 

　　这些组件在具有挑战性的开关条件下展现出卓越的性能和可靠性。先进的CoolSiC技术与.XT连接技术的结合，使得设备能够轻松应对意外的功率增加以及AI处理器功率需求突然变化带来的波动。即使在结温升高的情况下，这些MOSFET也能保持出色的性能，这要归功于其连接技术和低且正的RDS(on)温度系数。