挟3D IC竞争优势 赛灵思力守FPGA江山

赛灵思（Xilinx）将以三维晶片（3D IC）技术优势，迎战竞争对手Altera的先进制程新攻势。Altera日前宣布将借力英特尔（Intel）14纳米（nm）三闸极电晶体（Tri-gate Transistor）制程生产更先进的现场可编程闸阵列（FPGA）方案，引发外界对赛灵思在先进制程世代的竞争力疑虑；对此，赛灵思在日前法说会上强调，将携其于3D IC领域的技术优势，继续站稳先进制程市场地位。

赛灵思执行长Moshe N. Gavrielov表示，赛灵思研发团队已大量投资于20纳米制程，且已加快其他先进制程的投资脚步。Gavrielov以28纳米制程的低耗电高介电常数金属闸极（High-k Metal Gate）制程为例，当初赛灵思投资该制程时带给投资人不少压力，不过在与台积电通力合作下，已产出最高性能、最高频宽、最低功耗的产品，且今年度开始，赛灵思将会有50%以上的营收来自于28纳米制程。他强调，赛灵思将持续复製28纳米制程于系统单芯片（SoC）FPGA的成功经验于3D产品线上。

针对先进制程最新进度，赛灵思可编程平台团队资深副总裁Victor Peng解释，赛灵思的研发重点不仅针对可编程逻辑元件（PLD）技术，更重要的是精进3D技术，目前赛灵思已是独家可以硅穿孔（Through Silicon Via）技术、微凸块（Micro Bump）以及硅中介层（Silicon Interposer）制作出3D异质整合（Heterogeneous Integration）及同质（Homogeneous）整合产品的公司。

Peng强调，赛灵思一直以来采用多晶圆代工厂的策略，所以对于先进制程的发展非常清楚，未来赛灵思将携在3D领域的优势，掌握先进制程所带来的契机并解决技术挑战，延续28纳米制程的领导地位。

Gavrielov表示，FPGA产业具高混合度、出货量极少、时间表紧凑、多样特殊需求的特色，因此在采用每个制程前，赛灵思会对价格、技术及制程是否符合客户、市场需求等三项指标进行评估，并挑选出最适合的晶圆代工厂，再采用最好的研发团队制作优异的产品组合。未来，投资人同样可看到赛灵思利用20纳米制程及其他先进制程创造出好的成绩，就如同该公司在28纳米制程的成果一样。