光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案可使用BTD25350

现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。

 

BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合光伏储能BUCK-BOOST中。BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。

功能框图

SiC MOSFET BTD25350使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，高压侧接入PV直流侧，低压侧接电池组。LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通相比其他开关电源，其输入输出电压调节范围较宽，且具有高效率，低噪声，高功率密度等诸多优点。与传统Si基功率器件相比，该BTD25350具有更加优良的特性，更加适用于高频高压大功率场合。

 

双通道隔离驱动BTD25350产品特点介绍：

• 隔离电压高达5000VRMS（SOW-18）@UL1577

• 峰值输出电流典型值高达10A

• 传输延时低至60ns

• 瞬态共模抗扰度（CMTI）典型值为150kV/us

• 最高支持开关频率1MHz

• 原边电源支持3~20V

• 副边电源最高支持33V

• 原边副边电源分别支持欠压保护

• 输入电平兼容3.3V、5V、15V电平

• SOW-18（宽体）封装，爬电距离8.5mm

• 工作环境温度：-40~125℃

 

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