基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展

 

6月13-15日，SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业，共同展示最前沿的科技成果和技术产品，吸引逾50万专业观众参与。

基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等系列新品，以及旗下全系列碳化硅二极管、门极驱动芯片、功率器件驱动器等产品亮相展会，全方位展示基本半导体在功率器件领域的创新技术实力。

现 场 盛 况

 

 

 

 

共鉴新品 以创新技术驱动能源未来

近年来，随着全球“双碳”战略的实施，作为新能源产业的重要方向，光伏行业持续快速发展，市场对功率器件的规格和散热要求也越来越高。碳化硅功率器件以其高效、耐高温、耐高压等特性，在新能源领域发挥着不可替代的作用。凭借在碳化硅领域的深厚积累和持续创新，基本半导体自主研发的众多性能卓越、品质可靠的碳化硅功率器件产品，被批量应用于光伏储能、直流快充、新能源汽车、工业及通信电源等领域，得到了市场的广泛认可。

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2000V/1700V高压碳化硅MOSFET

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，基本半导体基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。

 

其中，1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可适配于组串式光伏逆变器和储能系统辅助电源的反激开关拓扑中，在提高辅助电源效率的同时，使辅助电源更安全可靠运行。

 

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1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET

为满足电机驱动、储能系统、大功率充电桩等领域的大功率应用需求，基本半导体研发推出了1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET B2M018120Z，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点，可通过开尔文连接驱动，降低驱动回路的杂散电感。

 

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第三代碳化硅MOSFET

B3M040120H/Z是基本半导体基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。

 

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工业级碳化硅功率模块Pcore2  E1B/E2B

继推出首款工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B以来，获得了工业市场的广泛关注。展会上，基本半导体继续推出PcoreTM2 E1B工业级碳化硅半桥MOSFET模块，产品采用集成的NTC温度传感器、PressFit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

 

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工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块

B2M040120T和B2M080120T是基本半导体基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。

 

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工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2 ED3

针对工业应用，基本半导体推出的工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2 ED3系列模块具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块，从而有效缩短产品开发周期，提高工作效率。

 

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双通道隔离驱动芯片BTD25350系列

基本半导体推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。

 

   

 

 

 

 

展会现场，基本半导体展位人头攒动，前来交流洽谈碳化硅功率器件技术和产品的客户络绎不绝。未来，基本半导体将继续秉承“创新、品质、服务”的理念，不断加大研发投入，推出更多高性能、高品质的碳化硅功率器件产品，与全球合作伙伴携手共进，共同助力能源结构的绿色转型与可持续发展。

关于基本半导体

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。