V0阻燃等级氮化硼高导热绝缘片

 

     IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bipolar双极晶体管的开关动作。

       发热量巨大的电子器件、芯片、MOSFET等必须与五金铸模的壳体内壁接触，以有效地实现热传递，进行散热。MOS管在电子电路中起到放大或者开关电路的作用，所以高绝缘高导热性能材料是为MOS管散热材料的首先考虑的参数。目前较为普遍的热管理材料方案是使用导热绝缘片类或导热绝缘片+导热硅脂。

 

单管IGBT和IGBT模块对产品安全、可靠性提出耐高温、散热性优、工作温度范围广、使用寿命长等更高要求。芯片的散热主要通过IGBT模块中的陶瓷基板来实现，其作用是吸收芯片的产热并传导至热沉上，从而实现芯片与外界之间的热交换，对于热界面材料有耐高温阻燃高导热高绝缘的要求。

     晟鹏技术（晟鹏科技）研发的高导热绝缘片具有绝缘耐电压、抗撕裂压力等特性，垂直导热系数3.5W和5W，耐击穿电压达到4KV以上，厚度超薄0.25毫米、0.38毫米，UL-V0阻燃等级，使用寿命周期长，满足变频家电（空调冰箱）、汽车电子、新能源电池、电力、交通等行业的需求,低热阻高导热可以快速地把功率器件产生的热量传递到散热器上。

公司介绍

 

      广东晟鹏材料技术有限公司（广东晟鹏科技有限公司）主要从事以氮化硼材料为主的电子封装热管理材料研发与生产，是二维氮化硼商业化应用开拓者。

      公司致力于解决5G通讯及新能源电池绝缘导热“卡脖子” 问题，大幅扩展了国产氮化硼原料的应用前景，从二维材料角度突破国际专利壁垒，助力我国半导体电子产业的发展，实现国产替代。依托清华大学盖姆石墨烯中心、中科院深圳先进院、华南新材料研究院等多家研发平台，前期研发经费投入超2亿元，拥有院士级海归研发团队、强大的研发背景和技术实力。

 

 

公司开发的低介电氮化硼散热膜、高绝缘氮化硼导热膜及高导热垫片等产品，性能领先于国内外同行竞品，具备强大的竞争优势。目前该产品已被华为、OPPO、小米、VIVO等国内3C电子领域龙头企业广泛使用。