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场截止阳极短路IGBT概述

消耗积分:0 | 格式:doc | 大小:174KB | 2014-08-29

张瑾

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本文介绍以类似MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT。与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
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