Power Master 半导体推出第二代 1200V eSiC MOSFET

Power Master Semiconductor推出了第二代 1200V eSiC MOSFET，以满足直流电动汽车充电站、太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、电机驱动器和工业电源等一系列应用对更高效率、高功率密度、强可靠性和耐用性的需求。

 

1200V eSiC MOSFET 为系统提供了显著的优势，包括功率密度增加、效率提高、冷却要求降低(这是由于其功率损耗显著降低所致)。SiC MOSFET 越来越受欢迎，尤其是对于需要更高功率密度、效率和弹性的可再生能源系统和电动汽车充电系统。

 

 

直流电动汽车充电站是一种 3 级充电器，它通过模块化结构提高其功率水平，以满足电动汽车更快充电时间和更大电池容量的需求。直流电动汽车充电提供一致的电流输出，涵盖广泛的直流输出电压(200V 至 900V)和负载曲线。

 

第二代 1200V eSiC MOSFET 的关键性能系数 (FOM) 比上一代提升了高达 30%，包括栅极电荷 (QG)、输出电容储能 (EOSS)、反向恢复电荷 (QRR) 和输出电荷 (QOSS)。最新的 SiC MOSFET 技术对电源转换应用具有显著优势，包括降低功率损耗，从而实现更小、更轻、更高效的系统，并且需要的冷却更少。

 

1200V eSiC MOSFET Gen2 具有出色的开关性能，并且已经过全面的雪崩能力测试。通过显著降低米勒电容 (QGD)，最新版本的开关损耗与前代产品相比显著降低了 44%。

 

新一代 1200V eSiC MOSFET 的问世代表着在创建环保高效电力系统方面取得了重大进步。Power Master Semiconductor 对 1200V eSiC Gen2 MOSFET 将对高性能应用产生重大影响充满信心。