Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

　　美国加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰（EMI）。

　　近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿，领先于竞争对手，并满足客户严苛的要求。

　　Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示：“相对于此前产品，我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手，堪称行业领先。”

　　新型FDMS86181的主要优点分别为：Rdson减少了40%，从而降低了导通损耗；最大程度降低栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷（Qrr）几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患，这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰（EMI）。 利用FDMS86181的这一独特优势，设计人员不但减小了产品的尺寸，同时还降低了物料（BOM）成本。

　　关于Fairchild：

　　Fairchild一直是半导体行业的先驱者，秉承开拓精神至今，致力于让世界变得更洁净、更美好。我们专注于开发制造从低功率到高功率解决方案的完整产品组合，为移动、工业、云、汽车、照明和计算行业的系统构建工程师和系统架构师提供最佳的设计体验。我们基于的是这一指导原则：敬业的员工和满意的客户是公司发展密不可分的一部分，同时鼓励员工追求简洁和挑战、探索和娱乐、卓越和尊重，并拥有果断的执行力和直面问题的勇气。如果您正使用智能手机或者驾驶汽车，使用现代化的家用电器或者在舒适的建筑中工作和生活，甚至观看电影动画，那么您就感受到了Fairchild的力量-“Power to Amaze”。