HBM3E量产后，第六代HBM4要来了！

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产，HBM4正在紧锣密鼓地研发，从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展，原本SK海力士计划2026年量产HBM4，不过最近有消息说提前到2025年。其他两家三星电子和美光科技的HBM4的量产时间在2026年。英伟达、AMD等处理器大厂都规划了HBM4与自家GPU结合的产品，HBM4将成为未来AI、HPC、数据中心等高性能应用至关重要的芯片。

行业标准制定中

近日，JEDEC固态技术协会发布的新闻稿表示，HBM4标准即将定稿，进一步提高数据处理速率，具有更高带宽、更低功耗以及增加裸晶/堆栈的容量。这些进步对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成式人工智能(AI)、高性能计算、高端显卡和服务器。 与HBM3相比，HBM4在每个堆栈中引入了两倍的通道计数，具有更大的物理尺寸。为了支持设备兼容性，标准确保单个控制器可以同时处理HBM3和 HBM4。HBM4将指定24 Gb和32 Gb层，并提供支持4层、8层、12层和16层TSV堆栈的选项。该委员会初步同意最高6.4 Gbps的速度，并正在讨论更高频率的问题。 另外，韩媒报道还指出，JEDEC有望放宽对HBM4内存的高度限制。目前，HBM内存的最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚度为720微米。三星最近HBM3E 12H产品通过对NCF材料的优化，芯片之间的间隙已降低至7微米。若HBM4内存提升到16层，再加上凸块厚度，传统技术无法实现在720微米厚度下的16层堆叠。于是，据称JEDEC主要参与方已同意放宽HBM4高度限制至775微米。这样也可以为混合键合HBM内存的商业化留出更多时间。 下图左边为SK海力士从HBM3开始采用的先进大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 工艺，右边为Cu-to-Cu（Copper-to-Copper, 铜-铜）键合封装工艺，是一种混合键合方法，可在完全不使用凸块的情况下将间距缩小至10微米及以下。混合键合技术可以进一步缩小间距，同时作为一种无间隙键合（Gapless Bonding）技术，在芯片堆叠时不使用焊接凸块（Solder Bump），因此在封装高度上更具优势，是目前各家存储芯片厂商重点开发的技术。

图源：SK海力士

 

HBM4制程工艺与性能

HBM的制程工艺方面，SK海力士在HBM3E内存上使用第五代10纳米级1β制程技术，在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上，SK海力士表示计划使用第六代10纳米级的1-γ制程技术的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。至于HBM4内存，分析认为由于SK海力士将在2025年量产HBM4，比其他两家要早，那时可能还是采用的第五代10纳米级1β制程技术。另外，三星电子、美光科技也纷纷将使用第六代10纳米级的1-γ制程技术用于HBM4内存。

结合正在制定的行业标准以及厂商信息，我们大致可以看到HBM4的一些特性。首先HBM4的接口将采用2048位，比HBM3E的1024位高出一倍。HBM4的带宽在2TB/s或以上，HBM3E的带宽最高可达1.2TB/s。另外，SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。堆叠层数和容量上，HBM4采用32Gb DRAM颗粒，12层堆叠达到48GB容量，高至16层可达到64GB，HBM3E采用24Gb DRAM颗粒，8层堆叠为24GB容量，最高12层，36GB容量。今年6月，NVIDIA 宣布下一代Rubin GPU将配备8个HBM4，Rubin Ultra GPU将配备12个HBM4芯片，其总内存容量将显著提升。

图源：英伟达 （注：右上角红框为配备8个HBM4的Rubin GPU，以及配备12个HBM4芯片的Rubin Ultra GPU）

逻辑芯片、3D堆叠封装工艺更新

三星电子最近介绍了HBM与定制逻辑芯片进行3D堆叠的方案，是将HBM直接安装在系统芯片上，可省去中间件和基板，大幅减少功耗和面积。SK海力士也在考虑HBM4直接堆叠在GPU上的方案。这是除HBM堆叠在GPU芯片旁这种较成熟的方案之外的另一个可能性。 对于逻辑芯片，它是DRAM 堆栈的控制单元，也负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。由于HBM4的逻辑芯片需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽和承载部分客户定制功能，因此存储厂商开始选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产HBM4的逻辑芯片。 目前的消息显示三星将采用自家的4nm制程生产，该制程的良率已经超过70%。三星已经将晶圆代工部门员工派往HBM开发团队，通过内存部门和代工部门的紧密合作，从逻辑裸晶的设计阶段寻求优化，以最大限度地提高HBM4芯片的性能和功耗水平。 SK海力士则在今年4月与台积电签署谅解备忘录，合作生产HBM4。SK海力士表示，以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品）都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片（也就是逻辑芯片），但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。 与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。 台积电在2024年的技术研讨会上展示了两款HBM4基础裸片，分别是N12FFC+和N5制程技术，其中N5版相较于N12FFC+版面积更小，性能更高，功耗更低，支持6~9μm级别的互联间距，并能实现与逻辑处理器的3D垂直集成，有望大幅提升HPC和AI芯片的内存带宽。那么SK海力士HBM4的逻辑芯片极有可能采用台积电的5nm制程工艺。 同时，韩媒消息称，SK海力士已向全球第二大封测厂Amkor协商供应硅中介层样品。SK海力士将自己生产的HBM和硅中介层等发送给Amkor，由Amko将把它们与英伟达等客户的GPU组装成AI加速器。 混合键合仍面临良率不佳的问题，因此SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。不过，为了降低晶圆堆叠的厚度，毕竟现在HBM芯片标准厚度为720um，如果要堆叠更多晶圆，晶圆减薄、铜-铜键合封装等都是关键技术。

小结：

AI热度当前，英伟达、AMD等厂商对HBM的需求不减，HBM迭代频率在加快。随着行业标准的正式定稿，以及存储厂商HBM4新规格的发布，我们将进入HBM4的世代。