通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

本文将介绍第四个主题，也是本系列文章的最后一篇“通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率”。这次是通过仿真来进行效率比较的。

逆变电路的种类和通电方式

三相调制逆变电路的基本工作

通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）

通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后，本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样，即PrestoMOS™ 和普通的SJ MOSFET 。这次是通过仿真来进行效率比较的。图1为仿真电路。

图1 三相逆变器的仿生电路图

仿真条件是根据双脉冲测试电路中所用的条件进行了如下设置：

1）栅极驱动电压VGS：0V to 12V

2）电源电压Vin：280Vdc

3）电感LU、LV、LW：8mH

4）开关频率fsw：5kHz

5）栅极电阻RG(on)：根据器件进行变更（为了使导通的di/dt达到100A/μs）
▪ PrestoMOS™ R6030JNx：60Ω（并联3个180Ω电阻）
▪ R6030KNx：180Ω

6）栅极电阻RG(off)：22Ω

7）输出功率POUT：100W、300W、500W、700W、1000W

图2为仿真得到的效率。图3为仿真过程中1个MOSFET的损耗。

图2 效率结果（仿真结果）

图3 1个MOSFET的损耗（仿真结果）

从结果可以看出，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）的效率更高，其优异的反向恢复特性是非常有助于提高效率的。另外，关于损耗，当输出功率为1000W时，1个MOSFET的损耗改善了0.5W，而使用6个MOSFET时，这些MOSFET加起来可以改善3W的损耗。