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基于单片机的石英晶片镀膜测控系统设计

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:198 | 2009-09-10

刘埃生

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        本文阐述了石英晶片真空蒸发镀膜测控的基本原理和镀膜过程中石英晶片谐振频率变化与镀膜厚度之间的关系。主要研究了以W77E516 单片机为核心,配合其它相关芯片完成石英晶片真空蒸发镀膜过程测控系统的工作原理和实现方案,重点阐述了该系统的硬件设计和软件设计方法。
关键词:石英晶片 谐振频率 蒸发镀膜
        在工业生产过程中通过对石英晶片两面镀上银层使其谐振频率达到目标值。蒸发镀膜在真空度为毫帕级的状态下完成,真空状态具有无尘和无气流干扰的优点,是理想的镀膜环境。
        由于镀层是超薄的,这对镀膜测控系统的精度提出了非常高的要求,提高镀膜膜厚的测控精度是真空蒸发镀膜工艺的技术关键与难点。传统的石英晶片镀膜膜厚控制方法采用镀膜时间控制法,即从控制镀膜时间的长短达到控制膜厚的目的,这种方法精度不高。为了提高石英晶片的镀膜精度,采用了一种新型镀膜测控方法,将待镀的石英晶片(以下称为石英晶片)与一片作为标准的石英晶片(以下称为标晶)置于同一真空蒸发镀膜环境下,在镀膜过程中石英晶片和标晶的镀层厚度都会增加,并且它们的膜层增长速率成一定的比率关系。通过实时监测标晶谐振频率的变化,可以推算出标晶上镀层膜厚的变化,进而推算出被镀石英晶片膜厚的变化,达到控制石英晶片镀膜厚度的目的,使镀膜后石英晶片的谐振频率达到目标值。

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