新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍

 

150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管反向恢复特性大幅优化，反向恢复电荷Qg相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性。另外，从器件本身出发，通过设计优化，加强了栅极抗振荡能力，使其更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本。全系产品的阈值电压Vth相对上一代产品也做了提升，最大程度防止误开启现象。

150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品广泛适用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域，可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封装形式。

                   产品型号

                   产品特点

◆ 超低特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）

◆ 极优品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg）

◆ 更高阈值电压Vth，防止误开启

◆ 超低反向恢复电荷Qrr、超快反向恢复时间Trr

◆ 更低反向恢复电流Irrm

◆ 极高功率密度

◆ 更优抗振荡能力

◆ 更强鲁棒性

                   应用价值

◆ 在使用相同封装的情况下，相对上一代产品，导通损耗降幅高达43%

◆ 根据应用的不同，采用150V Gen.3产品，可使用更小的封装

◆ 针对并联MOSFET以减少漏源导通电阻的应用，150V Gen.3可尽可能减少并联MOSFET数量甚至避免并联，所需空间更少，更具成本优势

◆ 更快的二极管反向恢复能力，利于减小电路应用中的电压尖峰、电流尖峰，对EMC特性和能效产生了积极影响

◆ 优化抗振荡能力，相同外围条件下，相对上一代产品更不易发生米勒振荡，减少开发时间和成本

                   应用领域

◆ 新能源汽车OBC

◆ 通信服务器

◆ 光伏储能

◆ 不间断电源UPS

◆ 电机驱动

附：新洁能Gen.3 SGT MOSFET命名规则