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HSW-PN602H选型参数介绍
PN602H集成超低待机功耗原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、
适配器和内置电源。PN602H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗
（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输
出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供
了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
应用领域
开关电源适配器
电池充电器
家电内置电源
产品特征
内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
输出特性
封装/订购信息
VDD
GND
SW
SW
DIP8
CS
FB
SW
SW
订购代码
封装
典型功率
85~265VAC
PN602HSE-A1
SOP8
12W
PN602HNE-A1
DIP8
15W
注：最大输出功率是在环境温度 45°C 的密闭式应用情形
下测试。
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