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FDS6675BZ中文资料恒流源芯片

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:366KB | 2017-08-10

salomeevelyn

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恒流源芯片

　　General Description This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor ’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

　　Features Max r DS（on） = 13m ？ at V GS = -10V， I D = -11A Max r DS（on） = 21.8m ？ at V GS = -4.5V， I D = -9A Extended V GS range （-25V） for battery applications HBM ESD protection level of 5.4 KV typical （note 3） High performance trench technology for extremely low rDS（on） High power and current handing capability RoHS Compliant
FDS6675BZ中文资料恒流源芯片

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