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智能功率电子技术应用发展

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.6 MB | 2017-09-08

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　　随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1kV电压，特别是频率高于100kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

　　当前功率半导体封装的主要趋势是增强互连，包括旨在降低阻抗/寄生效应的晶圆级技术，以及增强型片上散热。厚铜、金或铝线邦定、缎带（ribbon）/封装黏着（clipbonding），以及功率优化的芯片级封装（CSP）也在增强裸片与外部电极之间的电阻连接效率。下图显示了封装技术的演进。

智能功率电子技术应用发展

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