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嵌入式的参数存储诀窍分享
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2017-10-13
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分享到：标签：嵌入式 工业4.0
如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？
将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
前段时间学习Msos，看到其中使用的参数存储的方法设计的很好，它将参数的变量地址与值，一同存储入Flash中。出彩之处是使用参数的变量地址来标记不同的变量。
一、数据结构
这种存储方式使用两个数据结构：
typedef struct
{
uint Address; //参数变量的地址
uint Data; //参数变量的值
}CellStruct;
要存储某个变量，需要将这个变量的地址和它的值一同存储到存储区。这种存储方式的核心就是这个数据结构。这样就可以使用*（（uint *）（Address）） = Data 直接将存储值赋值给对应的变量。简单的说就是根据地址值来标记各个不同的参数。
2.存储区的数据结构
typedef struct {
二、代码解析
这种存储方式的使用两个函数：
读取存储区中的变量值并更新变量的值
变量的存储函数
2.1 参数的读取
流程图如上，主要步骤如下：
根据Flash中存写的变量地址，更新变量的值；
将Flash中存写的地址值存入临时数组中，并根据地址值判断是否存在重复存储的无效数据，并将无效数组失效；
清空Flash存储区，将临时数组中有效的变量重新存入Flash中。
通过这些步骤，将存储区中存储的变量读出，并将存储区中的重复的无效数据清除。下面是源代码：
#define pUint（address） *（（uint *）（address）） #define PageSize 1024 //Stm32F103R8T6 1Page=1024Byte #define ParameterAddress （FLASH_BASE + （63 * 1024）） #define ParameterSpace PageSize / 4 / 2 static void ReadAllParameter（void） { bool CleanFlag; int i， j;
2.2 参数的写入
参数的写入就很简单了，根据数据结构中的写入点，将变量的地址与值写入Flash中。
static bool WriteParameter（void * dataPointer）
2.3 使用方法
使用方法：
每次上电启动时，调用读取全部变量的函数；
修改某个参数的时候，调用写参数函数；
三、注意事项
在读取参数时，需要在RAM中建立一个ParameterSpace大小的数组，如果这个值太大，会超过栈的大小，使得内存溢出。因此存储区不能开辟的太大。
四、总结
这种方式使用简便，尤其是在更新变量值时，根据存储的变量地址更新相应的值。其实其本质与我们使用变量名来标记不同的变量是一样的。不过也有缺点：
首先其同时存储变量的地址与变量的值，相当于多使用一倍的存储空间；
像上面的注意事项中说的，存储区不能开辟的过大，否则会使临时数组超过栈的大小。
如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？
将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
前段时间学习Msos，看到其中使用的参数存储的方法设计的很好，它将参数的变量地址与值，一同存储入Flash中。出彩之处是使用参数的变量地址来标记不同的变量。
一、数据结构
这种存储方式使用两个数据结构：
typedef struct
{
uint Address; //参数变量的地址
uint Data; //参数变量的值
}CellStruct;
要存储某个变量，需要将这个变量的地址和它的值一同存储到存储区。这种存储方式的核心就是这个数据结构。这样就可以使用*（（uint *）（Address）） = Data 直接将存储值赋值给对应的变量。简单的说就是根据地址值来标记各个不同的参数。
2.存储区的数据结构
typedef struct {
二、代码解析
这种存储方式的使用两个函数：
读取存储区中的变量值并更新变量的值
变量的存储函数
2.1 参数的读取
流程图如上，主要步骤如下：
根据Flash中存写的变量地址，更新变量的值；
将Flash中存写的地址值存入临时数组中，并根据地址值判断是否存在重复存储的无效数据，并将无效数组失效；
清空Flash存储区，将临时数组中有效的变量重新存入Flash中。
通过这些步骤，将存储区中存储的变量读出，并将存储区中的重复的无效数据清除。下面是源代码：
#define pUint（address） *（（uint *）（address）） #define PageSize 1024 //Stm32F103R8T6 1Page=1024Byte #define ParameterAddress （FLASH_BASE + （63 * 1024）） #define ParameterSpace PageSize / 4 / 2 static void ReadAllParameter（void） { bool CleanFlag; int i， j;
2.2 参数的写入
参数的写入就很简单了，根据数据结构中的写入点，将变量的地址与值写入Flash中。
static bool WriteParameter（void * dataPointer）
2.3 使用方法
使用方法：
每次上电启动时，调用读取全部变量的函数；
修改某个参数的时候，调用写参数函数；
三、注意事项
在读取参数时，需要在RAM中建立一个ParameterSpace大小的数组，如果这个值太大，会超过栈的大小，使得内存溢出。因此存储区不能开辟的太大。
四、总结
这种方式使用简便，尤其是在更新变量值时，根据存储的变量地址更新相应的值。其实其本质与我们使用变量名来标记不同的变量是一样的。不过也有缺点：
首先其同时存储变量的地址与变量的值，相当于多使用一倍的存储空间；
像上面的注意事项中说的，存储区不能开辟的过大，否则会使临时数组超过栈的大小。
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评论(1)
发评论
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冠荣二极管
2017-10-14
0 回复 举报这个问题好难啊 收起回复
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