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全集成低相位噪声LC压控振荡器设计

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:444 | 2009-12-14

吴湛

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提出了一种应用于ISM 频段的低相位噪声LC VCO。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M 混合信号CMOS工艺进行设计，芯片版图面积740μm×700μm。在电源电压为1.8V 时，后仿真结果表明，电路工作频率为2.4GHz 时，调谐范围为23%。在偏离中心频率1MHz 处，相位噪声为-124.2dBc/Hz。核心部分功耗约为7.56mW。
关键字：压控振荡器、片上电感、Q 值、相位噪声、CMOS 工艺
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