SENSOR 720P/1080P静电保护方案

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描述

SENSOR 720P/1080P静电保护方案

方案简介

SENSOR 720P/1080P,即高清传感器,是摄像机的核心部件,负责将光信号转换成电信号,以便进行后续的处理和存储,广泛应用于安防监控和行车记录仪领域。Sensor的分辨率是一个重要的参数,它决定了摄像机能够捕捉到的图像细节程度,720p Sensor的分辨率为1280x720像素,1080p,也称为Full HD(全高清),其分辨率为1920x1080像素。这些传感器中的摄像头线路通常采用并联方式连接至地线,以确保信号的稳定性和安全性。

静电可能通过直接接触或间接感应的方式进入传感器,导致内部电路短路或损坏。所以芯片端口部分设计时应充分考虑对传感器的静电保护,以防止因过电、过流等异常情况对芯片造成损害,确保在各种环境下都能稳定可靠地工作。静芯微系列产品可以充分满足客户的设计要求。

应用示例

1.  SENSOR 720P

对于SENSOR 720P的静电防护,我们推荐采用集成式和分立式两种ESD保护方案。分立器件减少了生产成本,集成式器件的流通式封装设计简化了 PCB 布局,减少布线过程中的不连续性,促进了信号完整性和系统稳定性的提升。客户可根据实际情况进行选择。

 

方案一:

封装

方案一中我们采用四引脚集成式ESD保护器件,型号为SELC143T5V2UB, 工作电压为5V,钳位电压为13V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范,在 ±15kV(空气)和±15kV(接触)下提供瞬变保护。

规格型号 方向 工作电压(V) IPP(A) 钳位电压(V) 结电容(pF) 封装
SELC143T5V2UB Uni. 5 5 13 0.6/0.3 SOT-143

 

方案二:

封装

方案二中我们使用双向单通道分立式ESD保护器件分别保护电源、时钟和数据三条通道,推荐的器件型号如下表所示。

规格型号 方向 工作电压(V) IPP(A) 钳位电压(V) 结电容(pF) 封装
SELC3D5V1BC Bi 5 6 12 1 SOD323
SENC5D5V1BA Bi 5 8 8.5 15 SOD523
SENC2F5V1B Bi 5 4.5 15 3.5 DFN1006-2L
SENC2X5V1BA Bi 5 10 10 12 DFN0603-2L

2.  SENSOR 1080P

 

方案一:

封装

方案一中我们采用十引脚集成式ESD保护器件,型号为SEUC10F5V4UB, 工作电压为5V,钳位电压为12V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 规范,在 ±25kV(空气)和±20kV(接触)下提供瞬变保护。

规格型号 方向 工作电压(V) IPP(A) 钳位电压(V) 结电容(pF) 封装
SEUC10F5V4UB Uni. 5 3 12 0.4/0.2 DFN2510-10L

方案二:

 

封装

方案二中我们使用双向单通道分立式ESD保护器件分别保护12路通道,推荐的器件型号如下表所示。

规格型号 方向 工作电压(V) IPP(A) 钳位电压(V) 结电容(pF) 封装
SELC2F3V1B Bi 3.3 4 18 0.3 DFN1006-2L
SELC2X5V1B Bi 5 4 20 0.3 SOD523

电气特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   9.0 11.0 V
Clamping Voltage VC IPP=5A; tp=8/20us   13.0 15.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to I/O pin
  0.3 0.4 pF
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to GND
  0.6 0.8 pF

表1 SELC143T5V2UB电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 7.0     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5.0V     1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   8.5   V
Clamping Voltage VC IPP=6A; tp=8/20us   12   V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz   1   pF

表2 SELC3D5V1BC电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.8     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   7.0 8.0 V
Clamping Voltage VC IPP=8A; tp=8/20us   8.5 10.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to I/O; VR=0V; f=1MHz   15 20 pF

表3 SENC5D5V1BA电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4.5A; tp=8/20us   15.0 18.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz   3.5 5.0 pF

表4 SENC2F5V1B电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off   Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown   Voltage VBR IT=1mA 5.6     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A;   tp=8/20us   8.0 10.0 V
Clamping Voltage VC IPP=10A;   tp=8/20us   10.0 12.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V;   f=1MHz   12 20 pF

表5 SENC2X5V1BA电气特性表

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=   1mA 6.0 7.5 8.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us   9.0 11.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=3A;   TP=8/20us   12.0 15.0
Junction capacitance CJ I/O pins   to ground;
VR=0V;   f = 1MHz
  0.4 0.5 pF
Between I/O   pins;
VR=0V;   f = 1MHz
  0.2 0.25

表6 SEUC10F5V4UB电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM       3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 4.5     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us   10.0 12.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4A; tp=8/20us   16.0 20.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz   0.3 0.5 pF

表7 SELC2F3V1B电气特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off   Voltage VRWM       5.0 V
Reverse Breakdown   Voltage VBR IT=1mA 6.0     V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V     1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A;   tp=8/20us   11.0 14.0 V
Clamping Voltage VC IPP=4A;   tp=8/20us   20.0 24.0 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz   0.3 0.4 pF

表8 SELC2X5V1B电气特性表

总结与结论

随着科技的不断发展,高清化已成为电子产品的重要发展趋势。SENSOR 720p/1080p作为高清显示的关键部件,保护其免受ESD静电损害对于系统的稳定运行至关重要。ELECSUPER SEMI研发各种等级电容的ESD和TVS保护器件,可按照客户需求性能与封装提供定制化开发服务,为各种接口及通信线路提供值得信赖的保护器件。以上解决方案是保护SENSOR 720p/1080p免受静电干扰的优选之策,确保高清显示系统的有序与稳定。

审核编辑 黄宇

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