英飞凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合

　　英飞凌科技股份公司（股票代码：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET™ 2系列中的全新30V功率MOSFET产品组合，进一步丰富了该系列的产品线，旨在响应大众市场对于30V解决方案需求的持续增长。这款经过精心设计的功率MOSFET，凭借高可靠性和易用性，专为满足广泛的大众市场应用需求而生，提供了极大的设计灵活性。其适用场景涵盖了工业开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电设备、电池管理系统以及不间断电源（UPS）等多个领域。

　　与上一代StrongIRFET™半导体器件相比，StrongIRFET™ 2 30V技术实现了显著的性能提升，其中RDS（on）（导通电阻）降低了多达40%，Qg（栅极电荷）减少了60%。这一进步不仅带来了更高的功率效率和整体系统性能的提升，还保持了出色的稳健性。此外，这款全新的功率MOSFET还简化了设计导入流程和产品服务，为用户提供了更加便捷的使用体验。

　　目前，采用TO-220封装的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品已经上市销售。展望未来，英飞凌计划在2024年底前推出更多行业标准封装和引脚选项，包括DPAK、D²PAK、PQFN和SuperSO8等，以满足不同用户的需求。凭借其卓越的性价比，这款新产品无疑将成为设计人员的理想选择。