几类器件慎重采用串并联结构设计

几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子（IGBT、三极管、MOSFET等）不用于串联结构以解决单只耐压不足的问题。

原因是：在希望开关管同步导通的时候，实际工作中，两个的完全同步是做不到的，这种微小的差异会导致的潜在隐患是一只导通，另一只尚未导通时，全部的耐压会施加到一只管子上去，反而容易导致器件的损坏，这在可靠性模型上其实是容易带来问题的串联模型，并不是我们从功能设计理解上的两只一起分压实现的并联模型。

通过两只继电器并联提供较大电流，继电器的触点的同步性也是难以保证的，这样，启动初期，一直刚导通，另一只还未导通，易引起继电器触点粘连。

电容的串联是因为电容的容值误差较大，串联使用时，其上的分压会偏差比较大，所以，最好在每支电容的两端并上一只电阻（两只阻值的比值大小与电容的容值比例大小相同，且阻值不要太小，以免静态电流大导致静态功耗高）