高密度互连，引爆后摩尔技术革命

来源：司逸 晶上世界

Yole Group最新发布报告指出，先进封装市场预计将以每年11%的复合年增长率(CAGR)增长，到2029年达到695亿美元。而且Yole Group在6月发布的报告中指出玻璃芯基板在先进封装领域中正成为新的创新焦点，引领着超集成高密度互连技术的飞跃。通过持续的技术创新实现高密度互连，将是推动先进封装技术在后摩尔时代跨越发展的关键所在。

后摩尔新兴技术

催生高密度互连发展机遇

现阶段，摩尔定律正面临经济和工程双重挑战，随着制程技术的进步，每百万门器件的成本不降反升，产品设计和生产线建设的成本急剧增加。

在这种背景下，Chiplet等新兴技术应运而生，推动先进封装技术向高密度集成方向发展。包括有机基板(含EMIB)、硅转接(CoWoS)、晶上系统(SoW)、倒装/FC(含TCB、HB)等一系列技术，正在重新定义集成电路的未来。

据台积电(TSMC)的预测数据，到2030年，单芯片(单Die)的集成度将达到2000亿，单个封装的集成度将达到10000亿。通过使用更复杂的封装结构和提高封装互连密度，可以将芯片的晶体管集成度提高5倍。更重要的是，通过封装提高集成度的成本远低于前道工艺为晶体管集成度提高所付出的代价。

先进封装解决方案

不断推陈出新

在超高集成的发展趋势下，各大企业纷纷亮剑，针对CPU、GPU、FPGA等多种不同功能的芯片产品，采用了多种封装集成方案。

 

 

另外，近几年，晶圆级封装解决方案脱颖而出。Tesla和加州大学基于不同封装技术路线推出的SoW成果都具备显著的超高集成互连密度优势。

中电科58所

国内高密度互连技术领航者

在这场全球技术竞赛中，中国力量同样不容忽视。中电科58所，作为国内高密度互连技术的领军者，正以卓越的设计能力和前瞻性的解决方案，积极拥抱这场技术革命。

中电科58所基于现有先进封装产线，依托于高密度有机基板加工平台，结合业内玻璃芯材制备能力，完成玻璃芯有机基板研制平台搭建。

目前，已突破玻璃热膨胀系数改性技术、深孔内种子层连续沉积技术、高密度极多层布线、超细垂直盲孔填充等核心技术，实现具有高布线密度、短加工制造周期、高频传输性能及高可靠的玻璃芯有机基板制备，形成全流程玻璃芯有机基板加工技术路线与可靠性评价方案。

超密互连通孔展示

玻璃基板与有机基板关于承载芯片数量的对比

高密度互连技术的迅猛发展，正为后摩尔时代的先进封装带来无限可能。以中电科58所为代表的创新力量将通过不断的突破与积累，继续引领这场变革，推动先进封装技术的跨越式发展，为我国集成电路的未来注入新的活力和动力。