Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3

 

Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性，进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAK SO-8封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

 

应用框图

 

特性

源漏极导通电阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω

栅极电荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC

持续源漏极导通电流(TC=25°C): 241A/ 165A

100%通过Rg和UIS测试

材料兼容Pb-free RoHS标准

 

应用领域

同步整流

初级侧开关

DC/DC转换器

太阳能微型逆变器

电机驱动开关

电池和负载开关