意法半导体发布第四代STPower硅碳化物MOSFET技术

意法半导体(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技术，标志着在高效能和高功率密度领域的又一重大进展。新一代MOSFET不仅在电动汽车中具有广泛应用潜力，也适用于各类高压和高功率密度的工业应用。
 

新发布的MOSFET特别针对电动汽车的牵引逆变器，这是电动汽车动力系统中不可或缺的部分，负责将电池组中的直流电转换为三相交流电，以驱动电动机。这项技术的革新将为电动汽车的续航能力、充电速度和整体性能带来显著提升。

 

新一代SiC MOSFET将提供750V和1200V的额定值，以支持400V和800V的电池总线电压。800V的解决方案将使得电动车的充电时间更短，续航里程更长。目前，750V版本的新MOSFET已完成认证，而1200V型号预计将在2025年第一季度完成认证，随后将迅速投入市场。此外，这些MOSFET还可广泛应用于太阳能逆变器、储能系统和数据中心等高功率工业领域。

 

在电动汽车的动力系统中，牵引逆变器利用由离散电源MOSFET或精确排列的功率模块构成的桥接电路，将直流电转化为所需的交流电动机驱动波形。逆变器的性能以及其开关电源组件直接影响电动汽车的整体表现。

 

意法半导体的第四代SiC MOSFET相比于前几代产品，具有更低的导通电阻(RDS(on))，在开关开启时所产生的I²R损耗更少。这意味着电能转换效率更高，且由于热管理需求降低，方案变得更加轻便和紧凑，这些都是影响电动车续航、充电时间和成本的关键因素。

 

 

据意法半导体透露，其第四代SiC MOSFET在实现与第三代设备相似的导通电阻时，所需的硅面积减少了12%至15%，从而节省了空间并降低了单位成本。此外，较低的RDS(on)、更高的开关速度与更强的鲁棒性共同促进了电动汽车动力系统的轻量化和经济性。

 

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