Nexperia荣获2024年度全球电子成就奖之年度功率半导体产品奖

在2024年度全球电子成就奖的颁奖典礼上，安世半导体凭借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半导体领域的卓越表现，荣获“年度功率半导体产品奖”。这一成就不仅彰显了安世半导体在全球功率半导体市场的领先地位，也是对其产品竞争力和技术创新的国际认可。安世半导体碳化硅高级产品经理董建云代表公司受邀出席并领取了这一荣誉奖项。

奖项介绍

全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)旨在表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。

IIC Shenzhen 2024同期举行的高效电源管理及宽禁带半导体技术论坛上，安世半导体碳化硅高级产品经理董建云带来了Nexperia碳化硅技术，赋能电气化和绿色节能的未来的专题报告。

获奖产品

安世半导体于2024年5月推出了NSF030120D7A0 ，一款基于碳化硅的 1200 V 功率 MOSFET。它采用成熟的 7 引脚 TO-263 塑料封装，适用于表面贴装 PCB 技术。出色的 RDSon 温度稳定性、高开关速度和高短路耐用性，使其成为电动汽车充电、基础设施、光伏逆变器和电机驱动的首选产品。

RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。但是通过创新工艺技术，Nexperia 的SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半导体SiC MOSFET的VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

Nexperia (安世半导体) 

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。